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        在過去的幾年中，工業(yè)界對3D技術(shù)的興趣與日俱增，因為其更高的器件密度和更加出色的系統(tǒng)性能而被人們寄予厚望。在這種技術(shù)條件下，芯片會變得更薄，堆棧和互連也變得更加合理。如今，各種3D集成技術(shù)都在研發(fā)之中，根據(jù)不同的需求各自有其特點。其中的一種技術(shù)叫做3D堆棧集成電路技術(shù)（3D-SIC）,它致力于將很薄的集成電路直接堆積起來，各層之間通過具有極高密度（高達106cm-2）且穿越Si的互連線連接。3D-SIC互連技術(shù)提供了一種后道全局線互連的替代方法。這項技術(shù)的一個典型應(yīng)用就是將大型的芯片內(nèi)系統(tǒng)分割成模塊堆疊系統(tǒng)。首先，較大的單元可以分割在多個堆棧層上（比如芯片上堆疊的存儲器）。在隨后的過程中，單系統(tǒng)中分布在不同Si層的IP模塊可以通過3D-SIC技術(shù)進行互連。信號延遲、能量損耗、系統(tǒng)尺寸的減小以及性能的改進，都只是這項技術(shù)眾多優(yōu)點中的一部分。
　　總體來講，結(jié)合了傳統(tǒng)或者現(xiàn)代封裝技術(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)技術(shù)和諸如金屬電介質(zhì)混合連接技術(shù)在3D-SIC解決方案中具有很強的代表性。IMEC的3D-SIC技術(shù)使用這樣一種工藝流程，即通過單大馬士革工藝實現(xiàn)Si層之間的銅通孔互連（TSV），這步工藝在前道和接觸孔工藝之后，但位于后道金屬層之前。這種工藝使得1-5μm直徑的小尺寸通孔成為可能，同時使得與前道區(qū)域的阻斷最小化。更進一步，這些通孔不會阻斷后道互連線的區(qū)域。在后道連線完成之后，Si會被從襯底底部去除從而打開通孔，隨后硅片之間會堆疊起來并使用直接的Cu-Cu互連或者Cu-介質(zhì)層互連。
　　使用Cu進行穿越Si的通孔填充采用電化學(xué)方法用Cu填充TSV是制造流程中很重要的一步。用Cu進行TSV填充時需要保證沒有缺陷產(chǎn)生，從而保證堆疊的多芯片器件中沒有可靠性的問題。另外，電鍍工藝的持續(xù)時間在很大程度上決定了全部的制造成本，因此需要將其最小化。過多的Cu淀積，比如在硅片頂部表面多余的銅，要盡可能的少，這是為了減少化學(xué)機械拋光(CMP)的時間。最后，對于Cu電鍍液內(nèi)添加劑的含量對Cu電鍍機理的影響，在過去的研究中也很少被提及。
　　文章中，我們研究了兩種應(yīng)對上述挑戰(zhàn)的方法。在第一種方法中，我們著力于發(fā)現(xiàn)電鍍工藝中添加劑的作用和電流密度的影響。在第二種方法中，我們著力于減少硅片表面Cu的淀積。兩種方法都得到了沒有空洞的電鍍Cu填充的3D通孔，同時電鍍時間也大為縮短。
　　方法一：優(yōu)化添加劑成分和電流密度在最理想的情況下，被電鍍Cu完全填充的通孔應(yīng)該沒有空洞，并且有盡可能少的殘留銅。從經(jīng)濟的角度看，填充時間最好盡可能的短。填充的結(jié)果依賴于幾個因素，比如電鍍時的電流密度和填充工藝中添加劑的成分。添加劑包括有機平坦劑和促進劑，它們存在于電鍍液內(nèi)并影響表面反應(yīng)。
　　IMEC已經(jīng)詳細研究了添加劑成分和電流密度對Cu電鍍工藝的影響。為了達到這個目的，我們在200mm硅片上使用深反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備準(zhǔn)備了直徑5μm、深度25μm的通孔。電鍍實驗使用具有三個可旋轉(zhuǎn)磁電極的設(shè)備完成。為了研究添加劑的影響，我們準(zhǔn)備的電解液包含0.8MCuSO4?5H2O\0.7MH2SO4,20ppm的聚乙烯乙二醇（PEG）和60ppm的Cl-(NaCl,Sigma-Aldrich)。在電解液中添加了不同含量的二硫化物作為促進劑(SPS,RaschigGmbH,Germany)，JanusGreenB(JGB,Sigma-Aldrich)作為平坦劑。
　　實驗表明，當(dāng)使用2ppm的SPS和10ppm的JGB時，在淀積的開始階段需要使用高達-5mA/cm2的電流密度來保證無空洞的填充。為了減少填充時間而增加電流密度會導(dǎo)致通孔的底部形成空洞。這個局限性可以通過如下方法克服，即通過兩個恒電流的步驟，一旦通孔的底部已經(jīng)被銅部分填充，電流密度可以增加到-15mA/cm2(圖1）。


　　然后，我們將不同含量的促進劑（SPS,2或者7.5ppm）和平坦劑（JGB,5、10或者15ppm）組合起來觀察它們對填充工藝的影響。在使用含7.5ppmSPS和15ppm平坦劑的電解液時，我們得到了最佳的結(jié)果，即在45分鐘左右的填充時間下獲得了沒有空洞的通孔(圖2）。當(dāng)使用兩步恒電流操作時，填充時間可以進一步的降低至25分鐘。使用商用的平坦和促進添加劑也可以得到類似的結(jié)果。在這些實驗中，硅片表面淀積的電鍍層厚度大約有2.5μm。



　　方法二：阻斷硅片頂部表面的銅淀積降低填充時間的第二種方法是阻斷銅在頂部表面的淀積。另外，當(dāng)通孔的填充已經(jīng)完成時，需要停止銅淀積過程，以使得多余的銅盡可能少，這有利于之后的平坦化（CMP）工藝。這樣的做法進一步節(jié)省了工藝時間。
　　IMEC已經(jīng)發(fā)現(xiàn)兩種有可能抑制硅片表面銅淀積的方法。一種選擇是使用微接觸印刷法在表面淀積自組合單層（SAM）十八烷基硫醇（ODT）。選擇這樣的電鍍電流密度，可使ODT分子在電鍍過程中不會從表面移走。通孔完全填充之后掃描電子顯微鏡（SEM）圖像和聚焦離子束（FIB）分析都表明，Cu大部分都淀積在3D通孔區(qū)域。在填充的通孔附近ODTSAM上可以看到成核的小塊銅缺陷（圖3a）。多余的銅只生長在填充的通孔上，外形像指甲一樣。實驗結(jié)果表明，使用物理氣相淀積（PVD）淀積籽晶層，在頂部表面生長ODTSAM，然后在-5mA/cm2電流下電鍍形成了無空洞填充的5μm×25μm通孔（圖3b）。填充過程耗時1800s，這只有不使用ODTSAM時間的一半。


　　第二種選擇是在硅片表面生長一層TaPVD薄膜，這種方法是利用Cu在Cu上和Cu在Ta上淀積時需要不同的超電勢。通過選擇Cu只在Cu上淀積的電勢（或者電流），通孔被填充，同時硅片表面的Cu淀積被抑制。SEM和FIB分析說明了和ODTSAM表面觀測到的類似現(xiàn)象。同樣的，在頂部表面幾乎沒有Cu淀積，通孔被無空洞的填充，填充的銅呈指甲狀。完全的填充僅耗時30分鐘。這種方法的優(yōu)勢在于它使用了半導(dǎo)體制造已經(jīng)采用的工藝技術(shù)。
　　結(jié)論通過電化學(xué)手段使用Cu填充穿越硅片的通孔是實現(xiàn)3D集成電路的決定性因素之一。這篇文章為直徑5μm、深度25μm的通孔填充提出優(yōu)化了的Cu電鍍工藝。主要的改進在于降低無空洞填充工藝的時間（工藝成本）減少到30分鐘。結(jié)果由兩種方法得出。在第一種方法中，我們研究了平坦和促進添加劑以及電流密度在電鍍工藝中的地位。對電鍍工藝更深的了解幫助我們優(yōu)化了通孔填充工藝的產(chǎn)能。通過使用兩步的電流填充工藝，總共的填充時間減少到25分鐘。在第二種方法中，通過防止頂部表面的Cu淀積，或者通過產(chǎn)生自組合單層十八烷基硫醇，又或者在硅片表面淀積Ta薄膜，均使填充時間減少了至少50%。使用這個方法，通孔可以在30分鐘內(nèi)進行完全的填充。
　　其他涉及3D技術(shù)的工藝的研究也同時在IMEC3DSIC項目中同時展開，比如Cu-Cu連接、指甲狀Cu在Si內(nèi)引起的應(yīng)力、硅片的減薄和后續(xù)的一些工藝步驟。