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銅氧化物超導(dǎo)臨界溫度或有新決定因素

2016年08月27日 21:35 5187次瀏覽 來源:   分類: 新技術(shù)

  美國能源部布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室研究人員在17日出版的《自然》雜志上發(fā)表論文稱,銅氧化物的超導(dǎo)臨界溫度是由電子對密度——單位面積上的電子對數(shù)量決定的。這一結(jié)論對標(biāo)準(zhǔn)的超導(dǎo)理論提出了挑戰(zhàn)。標(biāo)準(zhǔn)超導(dǎo)理論認(rèn)為,超導(dǎo)臨界溫度取決于電子對互動情況。
  認(rèn)清高溫超導(dǎo)機(jī)制有助于研發(fā)室溫超導(dǎo)材料,對超級計(jì)算機(jī)、磁懸浮交通系統(tǒng)、能源生產(chǎn)傳輸?shù)阮I(lǐng)域具有革命性意義。自1986年發(fā)現(xiàn)銅氧化物具有高溫超導(dǎo)特性以來,科學(xué)家一直在探索高溫超導(dǎo)體臨界溫度遠(yuǎn)高于常規(guī)超導(dǎo)體的原因。
  布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室利用其專門設(shè)計(jì)的分子束外延系統(tǒng),制作了2500多份鍶鑭銅氧系超導(dǎo)體樣品(LSCO)用于分析。一般來說,在對LSCO薄膜進(jìn)行工程改造過程中,需要添加鍶原子,這種摻雜會在氧化銅表層生成移動電子對,使LSCO和其他通常為絕緣體的銅氧化物變成超導(dǎo)體。
  而此次研究中,研究人員加大了鍶的添加量,遠(yuǎn)超誘發(fā)超導(dǎo)所需的摻雜水平。之前對過度摻雜的研究表明,隨著摻雜濃度增加,電子對的密度會降低,科學(xué)家將其歸因于晶格中的雜質(zhì)或電子序列紊亂的影響。
  為尋找答案,此次研究人員運(yùn)用互感技術(shù)對LSCO工程薄膜進(jìn)行測試,建立了精確的電子對密度與超導(dǎo)臨界溫度間的線性關(guān)系:過度摻雜后,隨著摻雜劑的增多,電子對密度與超導(dǎo)臨界溫度不斷下降,直到電子對歸零,此時超導(dǎo)臨界溫度降至接近0開爾文。這一結(jié)果明顯有悖于過去對金屬和常規(guī)超導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)理解。
  如果說電子對密度決定超導(dǎo)臨界溫度,那么銅氧化物的超導(dǎo)臨界溫度高的原因或許是其電子對較小。以前研究表明,銅氧化物的電子對明顯要小于常規(guī)超導(dǎo)體的電子對。什么原因?qū)е裸~氧化物的電子對較小,是研究人員下一步要解決的問題。

責(zé)任編輯:孟慶科

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