科技部發(fā)布新材料技術超高純鋁靶材項目申請
2008年05月13日 0:0 5192次瀏覽 來源： 中國有色網 分類： 鋁資訊
據科技部消息：物理氣相沉積（PVD）是半導體芯片和TFT-LCD生產過程中最關鍵的工藝之一，PVD用濺射金屬靶材是半導體芯片生產及TFT-LCD制備加工過程中最重要的原材料之一，濺射金屬靶材中用量最大的是超高純鋁和超高純凈鋁合金靶材。
由此可見，研發(fā)具有自主知識產權的大尺寸超高純鋁靶材的制造關鍵技術，開發(fā)出滿足半導體行業(yè)及TFT-LCD產業(yè)需求的超高純鋁靶材產品，對于我國相關產業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
為公正、公平、公開地選擇項目承擔單位，充分調動相關企業(yè)、科研院所及高等院校的積極性，集成全國在鋁的精煉提純、大尺寸鋁板形變加工及濺射金屬靶材專業(yè)制備等領域的優(yōu)勢研發(fā)力量開展本項目的工作，科技部發(fā)布了《國家高技術研究發(fā)展計劃（863計劃）新材料技術領域“大尺寸超高純鋁靶材的制造技術”重點項目申請指南》。
責任編輯：CNMN
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