高質量半絕緣GaN的制備
2008年04月01日 0:0 6242次瀏覽 來源： 中國有色網(wǎng) 分類： 新技術
GaN作為寬禁帶半導體材料之一，因其良好的熱穩(wěn)定性、較高的擊穿電壓，在高功率高頻率電子器件方面有較大發(fā)展前途。通常非摻雜GaN因Ga空位和殘余氧表現(xiàn)為n型。摻入某些金屬元素（如鐵）作為深能級受主，利用補償作用可改善GaN電學性質。
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